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圖片信息
IPD60R2K0C6圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):IPD60R2K0C6
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載IPD60R2K0C6的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPD60R2K0C6
  • 制造廠家名稱(chēng):Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.4A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2 歐姆 @ 760mA,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 60μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):6.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):140pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:22.3W
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3
  • IPD60R2K0C6均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    Infineon產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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