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圖片信息
PEMD9,115圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:PEMD9,115
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
  • 技術標準參數:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • 產品應用分類:陣列﹐預偏壓式晶體管
  • 點擊此處下載PEMD9,115的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • NXP恩智浦完整型號:PEMD9,115
  • 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • 系列:-
  • 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k
  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):47k
  • 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值):1μA
  • 頻率 - 躍遷:-
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
  • 供應商器件封裝:SOT-666
  • PEMD9,115均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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