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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：TK6Q60W,S1VQ

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：TK6Q60W,S1VQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：DTMOSIV

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6.2A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：820 毫歐 @ 3.1A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 310μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：390pF @ 300V

FET功能：超級(jí)結(jié)

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：I-PAK

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