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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：XPW4R10ANB,L1XHQ

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：XPW4R10ANB,L1XHQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：15V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.4A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 1.5A，5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.1nC @ 5V

Vgs（最大值）：+6V，-4V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：118pF @ 7.5V

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

功率耗散（最大值）：-

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-DSOP Advance

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